IRS233(0,2)(D)(S&J)PbF
706
20
606
506
406
Exp.
15
10
5
306
0
-50
Exp.
p.
-25
0
25
50
75
100
125
206
-5
-10
106
-15
6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-20
Temperature ( o C)
Fig. 68. Output Low Short Circuit Pulsed
Current vs. Temperature
200
180
160
140
120
Temperature ( o C)
Fig. 69. Offset Opamp vs. Temperature
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
Exp.
100
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60
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Exp.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( o C)
Fig. 70. Operational Amplifier Power Supply
Rejection Ratio vs. Temperature
5.6
5.5
5.4
Temperature ( o C)
Fig. 71. Operational Amplifier Common Mode
Rejection Ratio vs. Temperature
35
30
25
5.3
20
5.2
Exp.
5.1
5.0
4.9
4.8
Exp.
15
10
5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( o C)
Fig. 72. Operational Amplifier High Level Output
Voltage vs. Temperature
www.irf.com
Temperature ( o C)
Fig. 73. Operational Amplifier Low Level
Output Voltage vs. Temperature
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IRS2332JPBF 功能描述:功率驱动器IC 3-Ph Bridge Driver 600V 200mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2332JTRPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/integr OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2332SPBF 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 600V 200mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2332STRPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/integr OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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